♦ 세계 최초 6세대 낸드 양산
일본 수출규제, 미·중 무역 갈등 등 복합 위기 속에 삼성전자의 진짜실력이 6일 나왔다. 삼성전자가 세계 최초로 반도체의 공정 미세화 한계를 극복한 ‘6세대(1xx단) 256Gb(기가비트) 3비트 V낸드’를 기반으로 한 ‘기업용 PC SSD’를 양산해 글로벌 PC 업체에 공급했다.
♦ 100단 이상 쌓아 생산성 높이면서도 성능 향상
이번 제품은 100단 이상의 셀을 한 번에 뚫는 단일공정(1 Etching Step)으로 만들면서도 ‘속도·생산성·절전’ 특성을 동시에 향상해 역대 최고의 제품 경쟁력을 확보한 쾌거로, 초고난도의 ‘채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)’ 기술로 5세대 V낸드 보다 단수를 약1.4배나 높인 6세대 V낸드를 성공적으로 양산했다.
피라미드 모양으로 쌓은 3차원 CTF 셀을 최상단에서 최하단까지 수직으로 한 번에 균일하게 뚫는 공정 기술을 적용해 9x단 이상 V낸드를 생산하는 기술은 전 세계에서 삼성전자가 유일하다.
♦ 3차원 낸드플래시의 새로운 패러다임
일반적으로 적층 단수가 높아질수록 층간의 절연상태를 균일하게 유지하기 어렵고 전자의 이동경로도 길어져 낸드의 동작 오류가 증가해 데이터 판독시간이 지연되는 문제가 발생한다.
삼성전자는 이러한 기술 한계를 극복하기 위해 6세대 V낸드에 ‘초고속 설계 기술’을 적용해 3비트 V낸드 역대 최고속도(데이터 쓰기시간 450㎲ 이하, 읽기응답 대기시간 45㎲ 이하)를 달성했으며 전 세대 보다 10% 이상 성능을 높이면서도 동작 전압을 15% 이상 줄였다.
삼성전자는 이번 6세대 V낸드를 통해 역대 최고 데이터 전송 속도와 양산성을 동시에 구현하며 초고적층 3차원 낸드플래시의 새로운 패러다임을 제시했다.
♦ 이번 쾌거로 향후 제품 개발 주기 더욱 단축 가능
특히 6세대 V낸드는 단일공정(1 Etching Step)을 적용해 세 번만 쌓아도 300단 이상의 초고적층 차세대 V낸드를 만들 수 있어 제품 개발 주기를 더 단축할 수 있다.
삼성전자는 차세대 플래그십 스마트폰에서 요구하는 초고속 초절전 특성을 업계 최초로 만족시킴에 따라 향후 글로벌 모바일 시장 선점에 적극 나선다는 계획이다. 또한 차세대 엔터프라이즈 서버 시장의 고용량화를 주도함과 동시에 높은 신뢰성을 요구하는 자동차 시장까지 3차원 V낸드의 사업 영역을 계속 넓혀 나갈 예정이다.
